天野浩

天野の仕事は性能のよい青色LEDを一度作ったことだけではありません。結晶の欠陥を減らす成長法、電流を流すp型層、発光デバイスを一つずつ成立させ、実験室の結果を再現可能な技術へ変えました。現在は同じGaNの性質を、電力損失を減らすデバイスや高周波通信へ展開しています。[1][4][5][3]

生年月日

1960年9月11日

出生地

静岡県浜松市

現在・代表的な役割

名古屋大学 特任教授

生い立ちから現在まで、肩書きだけでなく研究・開発・事業を動かした主要な出来事を時系列で追います。

1. 1983年

   名古屋大学工学部を卒業した

   電気工学を学び、大学院で赤﨑勇の研究室へ進みました。[4][6]

2. 1985年

   GaN結晶成長の研究を本格化した

   修士課程で、成功例の少なかった窒化ガリウムの結晶成長と発光デバイスを研究テーマに選びました。[4][5]

3. 1986年

   低温バッファ層で高品質GaNを得た

   サファイア基板上に低温AlNバッファ層を置く方法で、平坦で高品質なGaN結晶を作りました。[4][5]

4. 1988年

   名古屋大学助手になった

   博士課程後も赤﨑研究室で窒化物半導体の研究を続けました。[1][6]

5. 1989年

   p型GaNの伝導を確認した

   マグネシウム添加GaNへ電子線を照射し、p型伝導と青色発光の強まりを確認しました。[4][5]

6. 1992年

   名城大学へ移った

   赤﨑研究室とともに名城大学へ移り、窒化物半導体の研究と人材育成を続けました。[1][6]

7. 2010年

   名古屋大学教授に就任した

   名古屋大学へ戻り、材料からデバイス、システムまでを結ぶ研究体制を築きました。[1][2]

8. 2014年10月7日

   ノーベル物理学賞の受賞が発表された

   赤﨑勇、中村修二とともに、明るく省エネルギーな白色光源を可能にした高効率青色LEDの発明が評価されました。[4][5]

9. 2015年

   未来エレクトロニクス集積研究センターを率いた

   結晶成長からデバイス、回路、システムまでを一体で研究する拠点の運営に取り組みました。[2][1]

10. 2026年

    特任教授としてGaN研究を継続した

    名古屋大学の現行教員情報は特任教授と記載し、GaNの結晶成長、パワー・高周波デバイス、発光素子を研究対象に挙げています。[1][2]

知名度や肩書きではなく、技術と産業に残した変化から人物像を整理します。

年表の出来事をつなぎ、研究テーマや仕事の選択がどのように次の段階へ結びついたかを読み解きます。

生い立ちから現在までを一本の物語として見るために、方向を大きく変えた3つの選択に絞りました。

個人の功績だけに還元せず、共同研究者、組織、社会への影響まで含めて考えるための視点です。

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