中村修二

中村修二は、量産に適したGaN結晶成長、p型化、InGaN発光層という難題を連続して解き、高輝度青色LEDを製品へつないだ研究者です。TechCreate読者には、装置を自分で改良し、材料・プロセス・素子を一体で反復することで、長年「難しい」とされた技術を事業化する実例として読めます。[1][2][3]

生年月日

1954年5月22日

出生地

愛媛県伊方町

現在・代表的な役割

カリフォルニア大学サンタバーバラ校 材料学部・電気計算機工学科 教授／SSLEEC研究ディレクター

生い立ちから現在まで、肩書きだけでなく研究・開発・事業を動かした主要な出来事を時系列で追います。

1. 1954年5月22日

   愛媛県伊方町に生まれる

   のちに徳島大学で電気工学を学びました。[3][5]

2. 1977年

   徳島大学工学部を卒業

   電子工学の基礎を学び、大学院へ進みました。[5][2]

3. 1979年

   徳島大学大学院を修了し日亜化学工業へ

   小規模な研究環境で発光材料とデバイス開発を始めました。[5][2]

4. 1988年

   GaN青色LED研究を本格化

   フロリダ大学でMOCVDを学んだ後、GaN結晶成長へ集中しました。[5][4]

5. 1990年

   高品質GaN結晶の成長に成功

   two-flow MOCVDを開発し、結晶品質を改善しました。[2][4]

6. 1992年

   p型GaNを実現

   熱処理によってMgドープGaNをp型化し、効率的な接合形成へ進みました。[2][4]

7. 1993年

   高輝度青色LEDを発表

   InGaNを用いた青色発光素子を実用的な明るさへ引き上げました。[3][8]

8. 1995年

   InGaN量子井戸LEDを開発

   発光効率をさらに高める量子井戸構造を実現しました。[2][4]

9. 1996年

   青紫色半導体レーザーを実現

   GaN系材料をLEDからレーザーへ広げました。[2][4]

10. 2000年

    UC Santa Barbara教授に就任

    材料学と電気計算機工学でGaNデバイス研究を継続しました。[1][2]

11. 2014年10月7日

    ノーベル物理学賞受賞が決定

    赤﨑勇、天野浩とともに高効率青色LEDの発明で選ばれました。[3][4]

12. 2021年

    Queen Elizabeth Prize for Engineering受賞

    LED照明の開発を率いた技術者の一人として共同受賞しました。[7]

知名度や肩書きではなく、技術と産業に残した変化から人物像を整理します。

年表の出来事をつなぎ、研究テーマや仕事の選択がどのように次の段階へ結びついたかを読み解きます。

生い立ちから現在までを一本の物語として見るために、方向を大きく変えた3つの選択に絞りました。

個人の功績だけに還元せず、共同研究者、組織、社会への影響まで含めて考えるための視点です。

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